设计工程师充分了解在应付由chargedboardevent(CBE)所造成的较严重损坏时，提供符合IEC61000-4-2标准的静电放电(ESD)保护功能可能并不足够。这些极强的浪涌事件具有高峰值电流和快速上升时间特性，可能损坏智能手机、平板电脑、汽车信息娱乐设备和其它敏感的电子产品的I/O端口。认识到这一事实，TEConnectivity旗下的电路保护业务部门推出了全新的硅ESD(SESD)系列器件，这些器件的空气放电额定值为±20kV和±22kV，远远高于IEC8kV接触放电和15kV空气放电标准要求，可以帮助设计人员解决由CBE事件引起的普遍电路保护难题。

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TE电路保护部产品经理NicolePalma表示：“在与设计工程师一起工作时，我们发现IEC的ESD保护标准没有真正解决可能导致产品故障的CBE问题。针对这一挑战，我们提升了现有的小型低电容SESD器件产品线，提供20kV及更高的浪涌保护能力。这种更强大的保护能力可以帮助制造商提高产品可靠性，最大限度地减少现场返修(fieldreturn)，而这正是竞争异常激烈的计算机、移动、消费和汽车市场的关键设计考虑。”

此新一代SESD产品同时具有单向和双向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及标准直通(flow-through)封装。除了提供20kV接触放电性能，这些器件的浪涌保护能力(4通道阵列为2.2A，1和2通道器件为2.5A)有助于提供更稳健的性能。

SESD器件的典型输入电容在高频谱下为0.15pF(双向)和0.30pF(单向)，能帮助满足HDMI、eSATA和其它高速信号要求。它们的低钳位电压(<15V)有助于达到快速启动时间和最大限度地减少能量通泄(energylet-through)。此外，SESD器件具有极低的泄漏电流(50nA)，帮助在必须节约能源的应用中降低功耗。

　　型号：

单通道：

·SESD0201X1UN-0030-088–单向;0201尺寸;0.30pF(典型)输入Cp;8.8V(典型)VBR

·SESD0201X1BN-0015-096–双向;0201尺寸;0.15pF(典型)输入Cp,9.6V(典型)VBR

·SESD0402X1UN-0030-088–单向;0402尺寸;0.30pF(典型)输入Cp,8.8V(典型)VBR

·SESD0402X1BN-0015-096–双向;0402尺寸;0.15pF(典型)输入Cp,9.6V(典型)VBR

多通道：

·SESD0402Q2UG-0030-088–单向;0402尺寸;0.30pF(典型)输入Cp,8.8V(典型)VBR

·SESD1004Q4UG-0030-088–单向;1004尺寸;0.30pF(典型)输入Cp,8.8V(典型)VBR

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